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MOS管發(fā)熱的處理方法介紹
2024-07-20
MOS管發(fā)熱的處理方法介紹先從理論上分析MOS管選型是否合理，從MOS管的規(guī)格書(shū)上獲取MOS管的參數(shù)，包括導(dǎo)通電阻、g、s極的導(dǎo)通電壓等。在確保
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路,導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)管損失解析
2024-07-20
MOS管驅(qū)動(dòng)電路,導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)管損失解析MOSFET管FET的一種（另一種是JEFT），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際
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解析MOS管功率損耗怎么測(cè)
2024-07-20
解析MOS管功率損耗怎么測(cè)做開(kāi)關(guān)電源，常用功率MOSFET。一般而言，MOS管制造商采用RDS（ON）參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗;對(duì)ORing FET應(yīng)用來(lái)說(shuō)，RDS
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MOS管發(fā)熱問(wèn)題的解決方法介紹
2024-07-20
MOS管發(fā)熱問(wèn)題的解決方法介紹在進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源測(cè)試中，除了用三用表測(cè)量控制電路其他器件的引腳電壓，比較重要的是用示波器測(cè)量相關(guān)的電壓波
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MOS管的開(kāi)關(guān)條件解析
2024-07-20
MOS管的開(kāi)關(guān)條件解析控制極電平為 ？ V 時(shí)MOS管導(dǎo)通（飽和導(dǎo)通）？控制極電平為 ？ V 時(shí)MOS管截止？不論N溝道還是P溝道MOS管，G
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MOS管與IGBT的區(qū)別詳解
2024-07-19
MOS管與IGBT的區(qū)別詳解在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似
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插件mos管怎么分方向介紹
2024-07-19
插件mos管怎么分方向介紹插件MOS管的方向可以通過(guò)查看其外形來(lái)判斷，一般來(lái)說(shuō)，插件MOS管的源極和漏極分別位于其兩端，而控制電壓的輸入端
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mos管的原理和特點(diǎn)詳解
2024-07-19
mos管的原理和特點(diǎn)詳解MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。工作原理MOS管的工作狀態(tài)主要取決于柵源電壓Vgs。當(dāng)Vgs
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MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)詳細(xì)介紹
2024-07-19
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)詳細(xì)介紹一、 MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)作為半導(dǎo)體器件，它的來(lái)源還是最原始的材料，摻雜半導(dǎo)體形成的 P 和 N 型物質(zhì)。那么
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MOS管的快速開(kāi)啟與關(guān)閉,MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹
2024-07-19
MOS管的快速開(kāi)啟與關(guān)閉,MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。 在多數(shù)情況下，
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影響mos管壽命的因素解析
2024-07-19
影響mos管壽命的因素解析MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為一種常見(jiàn)的電子元件，其壽命的長(zhǎng)短對(duì)于電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性都有著重
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MOS管,MOS管的參數(shù)解讀
2024-07-19
MOS管的參數(shù)解讀MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，下面一起來(lái)看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參