晶體管與MOS管并聯理論：
(1)、晶體管具有負的溫度系數，即當溫度升高時，導通電阻會變小。
(2)、MOS管具有正的溫度系數，即當溫度升高時，導通電阻會逐漸變大。
相比于晶體管，MOS管的特性更加適合并聯電路中的均流，因此當電路中電流很大時，一般會采用并聯MOS管的方法來進行分流。
采用MOS管進行電流的均流時，當其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產生的熱量多，從而引起導通電阻的增大，減少流過的電流；
MOS管之間根據電流大小的不同來反復調節(jié)，最后可實現兩個MOS管之間的電流均衡。
注：晶體管也可以通過并聯來實現大電流的流通，但是此時需要通過在基極串接驅動電阻來解決各個并聯晶體管之間的電流均衡問題。
晶體管(MOS管)并聯注意事項：
(1)、各個晶體管(MOS管)的基極(柵極)不能直接相連，要分別串接驅動電阻進行驅動，以防止振蕩。
(2)、要控制各個晶體管(MOS管)的開啟時間和關斷時間保持一致，因為如果不一致，先開啟的管子或后關斷的管子會因電流過大而擊穿損壞。
(3)、為了以防萬一，最好在各個晶體管(MOS)管的發(fā)射極(源極)串接均流電阻，當然這并非強制選項。
(4)、各個并聯的晶體管(MOS管)之間要注意熱耦合，因為電流集中在一方管子的主要原因就是由發(fā)熱引起的。
晶體管(MOS管)并聯應用：
(1)、功率開關MOSFET的集成IC芯片，其內部是將大量的小MOS管并聯連接起來的，這樣每一個MOS管單元中流過的電流很小，防止局部的電流集中(若電流局部集中，則器件就損壞)，但是電路總體可以通過較大的電流，非常適合驅動電機等重負載設備。當然多個MOS管并聯還可以改善高頻特性，這已經成為目前功率開關MOS管的主要結構。
(2)、電池等供電設備是移動設備獲取電力的主要來源之一，但是一般的高功率電池供電電流都非常大(功率使用可以達到100A),因此僅僅使用單MOS管作為開關器件還不能滿足大電流的應用目的，這時多個MOS管并聯便能大展身手了。
(3)、功率放大電路（射極輸出電路）需要驅動較大功率的負載設備，這時單個晶體管(MOS管)的流通電流能力有限，遠遠實現不了大功率設備(100W,1000W等等)的驅動能力；而采用多管并聯可以解決這一難題。
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