晶體也稱為半導體二極管，它是在 PN 結(jié)上加接觸電極、引線和管殼封裝而成的。按其結(jié)構(gòu)，通常有點接觸型和面結(jié)型兩類。
晶體二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦裕浞蔡匦郧€。
晶體二極管的伏安特性是指流過二極管的電流 iD 與加于二極管兩端的 uD 之間的關(guān)系或曲線。用逐點測量的方法測繪出來或用圖示儀顯示出來的 U～I 曲線，稱二極管的伏安特性曲線。下圖是二極管的伏安特性曲線示意圖，我們以此為例來說明其特性。
⒈正向特性。當加在二極管兩端的正向電壓（P 為正、N 為負）很小時（鍺管小于 0.1 伏，硅管小于 0.5 伏），管子不導通，處于“截止”狀態(tài)，當正向電壓超過一定數(shù)值后，管子才導通，電壓再稍微增大，電流急劇暗加（見曲線 I 段）。不同材料的二極管，起始電壓不同，硅管為 0.5-0.7 伏左右，鍺管為 0.1-0.3 左右。
⒉反向特性。二極管兩端加上反向電壓時，反向電流很小，當反向電壓逐漸增加時，反向電流基本保持不變，這時的電流稱為反向飽和電流（見曲線Ⅱ段）。不同材料的二極管，反向電流大小不同，硅管約為 1 微安到幾十微安，鍺管則可高達數(shù)百微安，另外，反向電流受溫度變化的影響很大，鍺管的穩(wěn)定性比硅管差。
⒊擊穿特性。當反向電壓增加到某一數(shù)值時，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。這時的反向電壓稱為反向擊穿電壓，不同結(jié)構(gòu)、工藝和材料制成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由 1 伏到幾百伏，甚至高達數(shù)千伏。
⒋頻率特性。由于結(jié)電容的存在，當頻率高到某一程度時，容抗小到使 PN 結(jié)短路。導致二極管失去單向?qū)щ娦裕荒芄ぷ鳎琍N 結(jié)面積越大，結(jié)電容也越大，越不能在高頻情況下工作。
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