正向壓降功耗：
算法 1：P.f=V.f*I.o V.f：正向?qū)妷?I.o：輸出電流
方法 2：
Vf=Vo+If*Rs
Pf=Vo*If+Rs*If^2
反向電流功耗：
這個值不太好估計，因為 Vr 也在變化，因此我建議以實測為主：
實測：
然后可測得電壓下降波形進行計算。
漏電流功耗：P.r=V.r*I.r V.r：反向電壓 I.r：反向電流
這是最開始的博文，有些不清楚的地方。
我看到一本書，《功率晶體管和開關(guān)二極管的應(yīng)用技巧》
一本 80 年代末翻譯的書，里面很詳細的闡述了功率晶體管和開關(guān)二極管設(shè)計的過程。很嚴謹也很詳實，不是偶然間翻到，我們可能沒有可能去搞清楚這個過程了。
這一段是我整理在我寫的文章里面的，希望能把這個過程寫清楚：
二極管在較高頻率下應(yīng)用的時候，需要注意二極管除了我們知道的正常的導(dǎo)通狀態(tài)和正常的截至狀態(tài)以外，在兩種狀態(tài)之間，轉(zhuǎn)換過程中還存在著開啟效應(yīng)和關(guān)斷效應(yīng)。二極管在開關(guān)的過程中其電流和電壓的變化過程如圖所示：
① 開啟效應(yīng):表征著二極管由截止過渡到導(dǎo)通的特性，從反向電壓 VR 正向?qū)ǎ冎磷罡唠妷?V?P，然后慢慢降低為二極管正向?qū)妷?VF，達到穩(wěn)定狀態(tài)的過程稱為二極管的正向恢復(fù)過程。這一過程所需要的時間稱為正向恢復(fù)時間。開啟過程的過程是對對反偏二極管的結(jié)電容充電，使二極管的電壓緩慢上升，因 PN 結(jié)耗盡區(qū)的工作機理，使電壓的上升比電流的上升要慢很多。
② 關(guān)斷效應(yīng)：表征著二極管由導(dǎo)通過渡到截止的特性，從二極管正向?qū)妷?VF，跳變至 負向最高電壓 VFF，然后反向截止達到穩(wěn)定狀態(tài) VR 的過程稱為二極管的反向恢復(fù)過程。這一過程所需要的時間稱為反向恢復(fù)時間。由于電荷存儲效應(yīng)，二極管正向?qū)〞r，會存在非平衡少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象。在關(guān)斷過程中存儲電荷消失之前，二極管仍維持正偏的狀態(tài)。為使其承受反向阻斷的能力，必需將這些少子電荷抽掉。反向恢復(fù)時間分為存儲時間 Ts 與下降時間 Tf，存儲時間時二極管處在抽走反向電荷的階段，在這段時間以后電壓達到反向最大值，二極管可開始反向阻斷，下降時間則是對二極管耗盡區(qū)結(jié)電容進行充電的過程，直到二極管完全承受外部所加的反向電壓，進入穩(wěn)定的反向截止狀態(tài)。
二極管的暫態(tài)開關(guān)過程就是 PN 結(jié)電容的充、放電過程。二極管由截止過渡到導(dǎo)通時，相當(dāng)于電容充電，二極管由導(dǎo)通過渡到截止時，相當(dāng)于電容放電。二極管結(jié)電容越小，充、放電 時間越短，過渡過程越短，則二極管的暫態(tài)開關(guān)特性越好。
正向過程損耗：
這是一個估計的結(jié)果
反向過程損耗
計算方法也是估計的（這是續(xù)流電路的情況）
實際的功率二極管用在不同的地方，其結(jié)果也是并不相同的，按照書中整流和續(xù)流兩塊去分 析，我可能將之整理一下效果較好。感興趣的同志們可以去看看，挺詳細和詳實的一本書。
整個開關(guān)過程，實質(zhì)上，就是認為對結(jié)電容進行操作。如果沒有電容，整個開關(guān)過程是非常理想的，也就等效成為一個理想的開關(guān)了。
補充（引用網(wǎng)上不明作者的圖和過程分析）：
由于二極管外加正向電壓時，載流子不斷擴散而存儲的結(jié)果。當(dāng)外加正向電壓時Ｐ區(qū)空穴向 Ｎ區(qū)擴散，Ｎ區(qū)電子向Ｐ區(qū)擴散，這樣，不僅使勢壘區(qū)（耗盡區(qū)）變窄，而且使載流子有相當(dāng)數(shù)量的存儲，在Ｐ區(qū)內(nèi)存儲了電子，而在Ｎ區(qū)內(nèi)存儲了空穴，它們都是非平衡少數(shù)載流子， 如下圖所示。
空穴由Ｐ區(qū)擴散到Ｎ區(qū)后，并不是立即與Ｎ區(qū)中的電子復(fù)合而消失，而是在一定的路程 LP（擴散長度）內(nèi)，一方面繼續(xù)擴散，一方面與電子復(fù)合消失，這樣就會在 LP 范圍內(nèi)存儲一 定數(shù)量的空穴，并建立起一定空穴濃度分布，靠近結(jié)邊緣的濃度最大，離結(jié)越遠，濃度越小。正向電流越大，存儲的空穴數(shù)目越多，濃度分布的梯度也越大。我們把正向?qū)〞r，非平衡少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象叫做電荷存儲效應(yīng)。
當(dāng)輸入電壓突然由+VF 變?yōu)?VR 時Ｐ區(qū)存儲的電子和Ｎ區(qū)存儲的空穴不會馬上消失，但它們將通過下列兩個途徑逐漸減少：
① 在反向電場作用下，Ｐ區(qū)電子被拉回Ｎ區(qū)，Ｎ區(qū)空穴被拉回Ｐ區(qū)，形成反向漂移電流 IR， 如下圖所示；
② 與多數(shù)載流子復(fù)合。
在這些存儲電荷消失之前，ＰＮ結(jié)仍處于正向偏置，即勢壘區(qū)仍然很窄，ＰＮ結(jié)的電阻仍很 小，與 RL 相比可以忽略，所以此時反向電流 IR= （VR＋VD）/RL。VD 表示ＰＮ結(jié)兩端的正向壓降，一般 VR>>VD，即 IR＝VR／RL。在這段期間，IR 基本上保持不變，主要由VR 和 RL 所決定。經(jīng)過時間 ts 后Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)所存儲的電荷已顯著減小，勢壘區(qū)逐漸變寬，反向電流 IR 逐漸減小到正常反向飽和電流的數(shù)值，經(jīng)過時間 tt，二極管轉(zhuǎn)為截止。由上可 知，二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過程，實質(zhì)上由于電荷存儲效應(yīng)引起的，反向恢復(fù)時間就是存儲電荷消失所需要的時間。
烜芯微專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等20年，工廠直銷省20%，4000家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
烜芯微專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等20年，工廠直銷省20%，4000家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹