在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)城，同步變化的高邊和低邊有源開關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關(guān)的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低邊開關(guān)的架構(gòu)相比，此類開關(guān)穩(wěn)壓器具有多項(xiàng)優(yōu)勢。主要優(yōu)勢是電壓轉(zhuǎn)換效率更高，因?yàn)榕c采用無源二極管的情況相比，低端開關(guān)承載電流時(shí)的壓降更低。
圖1 用于降壓轉(zhuǎn)換、采用理想開關(guān)的同步開關(guān)穩(wěn)壓器
但是，與異步開關(guān)穩(wěn)壓器相比，同步降壓轉(zhuǎn)換器會(huì)產(chǎn)生更大的干擾。如果圖1中的兩個(gè)理想開關(guān)同時(shí)導(dǎo)通，即使時(shí)間很短，也會(huì)發(fā)生從輸入電壓到地的短路。這會(huì)損壞開關(guān)，必須確保兩個(gè)開關(guān)永遠(yuǎn)不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。因此，出于安全考慮，需要在一定時(shí)間內(nèi)保持兩個(gè)開關(guān)都斷開，這個(gè)時(shí)間稱為開關(guān)穩(wěn)壓器的死區(qū)時(shí)間。但是，從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸出電壓連接了一個(gè)載流電感(L1)，通過電感的電流永遠(yuǎn)不會(huì)發(fā)生瞬間變化。電流會(huì)連續(xù)增加和減少，但它永遠(yuǎn)不會(huì)跳變。因此，在死區(qū)時(shí)間內(nèi)會(huì)產(chǎn)生問題，所有電流路徑在開關(guān)節(jié)點(diǎn)側(cè)中斷。采用圖1所示的理想開關(guān)，在死區(qū)時(shí)間內(nèi)會(huì)在開關(guān)節(jié)點(diǎn)處產(chǎn)生負(fù)無窮大的電壓。在實(shí)際開關(guān)中，電壓負(fù)值將變得越來越大，直到兩個(gè)開關(guān)中的一個(gè)被擊穿并允許電流通過。
圖2 用于降壓轉(zhuǎn)換的同步開關(guān)穩(wěn)壓器，采用N溝道MOSFET和額外的肖特基二極管，可最大限度地減少干擾
大多數(shù)開關(guān)穩(wěn)壓器使用N溝道MOSFET作為有源開關(guān)。這些開關(guān)針對上述情況具有非常有優(yōu)勢的特性。除了具有本身的開關(guān)功能外，MOSFET還具有所謂的體二極管。半導(dǎo)體的源極和漏極之間存在一個(gè)P-N結(jié)。 在圖2中，插入了具有相應(yīng)P-N結(jié)的MOSFET。由此，即使在死區(qū)時(shí)間內(nèi)，開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓也不會(huì)下降到負(fù)無窮大，而是通過低端MOSFET中的P-N結(jié)（如紅色所示）承載電流，直到死區(qū)時(shí)間結(jié)束并且低端MOSFET導(dǎo)通為止。
相應(yīng)MOSFET中的體二極管有一個(gè)主要缺點(diǎn)。由于反向恢復(fù)現(xiàn)象，其開關(guān)速度非常低。
在反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi)，電感(L1)導(dǎo)致開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的電壓下降到比地電壓低幾伏。開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的這些陡峭的負(fù)電壓峰值會(huì)導(dǎo)致干擾，此干擾會(huì)被容性耦合到其他電路段。通過插入額外的肖特基二極管可以最大限度地減少這種干擾，如圖2所示。與低端MOSFET中的體二極管不同，它不會(huì)產(chǎn)生反向恢復(fù)時(shí)間，并且在死區(qū)時(shí)間開始時(shí)能非常快速地吸收電流。這可減緩開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的 電壓陡降。可減少由于耦合效應(yīng)而產(chǎn)生并分布到電路上的干擾。
肖特基二極管可以設(shè)計(jì)得非常緊湊，因?yàn)樗鼉H在死區(qū)時(shí)間內(nèi)短時(shí)間承載電流。因此，其溫升不會(huì)過高，可以放置在小尺寸、低成本的產(chǎn)品外殼中。
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