MOSFET柵極,驅動電路,PNP
MOSFET柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。
場效應管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。
MOSFET柵極電路常見的作用有以下幾點。
1:去除電路耦合進去的噪音，提高系統(tǒng)的可靠性。
2：加速MOSFET的導通，降低導通損耗。
3：加速MOSFET的關斷，降低關斷損耗。
4：降低MOSFET DI/DT，保護MOSFET同時抑制EMI干擾。
5：保護柵極，防止異常高壓條件下柵極擊穿。
6：增加驅動能力，在較小的信號下，可以驅動MOSFET。
（一）直接驅動
首先說一下電源IC直接驅動，下圖是我們最常用的直接驅動方式，在這類方式中，我們由于驅動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進的位置，從而達到減少寄生電感，消除噪音的目的.
（二）IC內部驅動能力不足時
當然，對于IC內部驅動能力不足的問題我們也可以采用下面的方法來解決。
這種增加驅動能力的方式不僅增加了導通時間，還可以加速關斷時間，同時對控制毛刺及功率損耗由一定的效果。當然這個我們在LAYOUT時要盡量將這兩個管子放的離MOSFET柵極較近的位置。這樣做的好處還有減少了寄生電感，提高了電路的抗干擾性。
（三）增加MOSFET的關斷速度
如果我們單單要增加MOSFET的關斷速度，那么我們可以采用下面的方式來進行。
關斷電流比較大時，能使MOSFET輸入電容放電速度更快，從而降低關斷損耗。大的放電電流可以通過選擇低輸出阻抗的MOSFET或N溝道的負的截止的電壓器件來實現(xiàn)，最常用的就是加加速二極管。
MOSFET柵極關斷時，電流在電阻上產生的壓降大于二極管導通壓降時，這時二極管會導通，從而將電阻進行旁路，導通后，隨著電流的減小，二極管在電路中的作用越來越小，該電路作用會顯著的減小MOSFET關斷的延遲時間。
（四）PNP加速關斷驅動電路
PNP加速關斷電路是目前應用最多的電路，在加速三級管的作用下可以實現(xiàn)瞬間的柵源短路，從而達到最短的放電時間，之所以加二極管一方面是保護三級管基極，另一方面是為導通電流提供回路及偏置，該電路的優(yōu)點為可以近似達到推拉的效果加速效果明顯，缺點為柵極由于經(jīng)過兩個PN節(jié)，不能是柵極真正的達到0伏。
（五）當源極輸出為高電壓時的驅動
當源極輸出為高電壓的情況時，我們需要采用偏置電路達到電路工作的目的，既我們以源極為參考點，搭建偏置電路，驅動電壓在兩個電壓之間波動，驅動電壓偏差由低電壓提供，如下圖所示。
（六）滿足隔離要求的驅動
為了滿足安全隔離的要求或者提供高端浮動柵極驅動經(jīng)常會采用變壓器驅動。這種驅動將驅動控制和MOSFET進行了隔離，可以應用到低壓及高壓電路中去，如下圖所示
變壓器驅動說白了就是隔離驅動，當然現(xiàn)在也有專門的驅動IC可以解決，但變壓器驅動有自己的特點使得很多人一直在堅持用。
圖中耦合電容的作用是為磁化的磁芯提供復位電壓，如果沒有這個電容，會出現(xiàn)磁飽和。
與電容串聯(lián)的電阻的作用是為了防止占空比突然變化形成LC的震蕩，因此加這個電阻進行緩解。
（七）自舉逆變圖
下面是一個實際的自舉逆變圖，供參考。
MOSFET管柵極檢測方法
1．準備工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導線。
2．判定電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產的3SK系列產品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。
電子管柵極的檢測：
1．以額定電壓點亮燈絲并預熱數(shù)十秒。
2．萬用表置于Rx100檔，以黑表筆接觸柵極，紅表筆接觸陰極。如果出現(xiàn)一個穩(wěn)定的示數(shù)，則證明電子管基本是正常的。相同條件下同新管測得的數(shù)值進行比較可以大致得出管子的老化程度。
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