mosfet驅(qū)動(dòng)
跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個(gè)很容易做到，但是，我們還需要速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
MOS管驅(qū)動(dòng)電路第二注意的是，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí) 柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該 選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。
上邊說(shuō)的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小?，F(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里，但在12V汽車(chē)電子系統(tǒng)里，一般4V導(dǎo)通就夠用了。
mosfet驅(qū)動(dòng)電路哪幾種
mosfet驅(qū)動(dòng)電路哪幾種，下文會(huì)體現(xiàn)出來(lái)。在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
在使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。
對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之后， 選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。
（一）mosfet驅(qū)動(dòng)電路哪幾種-電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET
圖1 IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET
電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最常用的驅(qū)動(dòng)方式，同時(shí)也是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，使用這種驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。第一，查看一下電源IC手冊(cè)，其最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?，?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。
第二，了解一下MOSFET的寄生電容，如圖 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒(méi)有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢。如果驅(qū)動(dòng)能力不足，上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩，即使把圖1中Rg減小，也不能解決問(wèn)題！ IC驅(qū)動(dòng)能力、MOS寄生電容大小、MOS管開(kāi)關(guān)速度等因素，都影響驅(qū)動(dòng)電阻阻值的選擇，所以Rg并不能無(wú)限減小。
（二）mosfet驅(qū)動(dòng)電路哪幾種-電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)
如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)能力又不足時(shí)，需要在驅(qū)動(dòng)電路上增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，常使用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動(dòng)能力，其電路如圖 2虛線框所示。
圖2 圖騰柱驅(qū)動(dòng)MOS
這種驅(qū)動(dòng)電路作用在于，提升電流提供能力，迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間，但是減少了關(guān)斷時(shí)間，開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且避免上升沿的高頻振蕩。
（三）mosfet驅(qū)動(dòng)電路哪幾種-驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間
圖3 加速M(fèi)OS關(guān)斷
關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如圖 3所示，其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大，把電源IC給燒掉。
圖4 改進(jìn)型加速M(fèi)OS關(guān)斷
在第二點(diǎn)介紹的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用。當(dāng)電源IC的驅(qū)動(dòng)能力足夠時(shí)，對(duì)圖 2中電路改進(jìn)可以加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間，得到如圖 4所示電路。用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見(jiàn)的。如果Q1的發(fā)射極沒(méi)有電阻，當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí)，柵源極間電容短接，達(dá)到最短時(shí)間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。與圖 3拓?fù)湎啾容^，還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC，提高了可靠性。
（四）mosfet驅(qū)動(dòng)電路哪幾種-驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間
圖5 隔離驅(qū)動(dòng)
為了滿(mǎn)足如圖5所示高端MOS管的驅(qū)動(dòng)，經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)，有時(shí)為了滿(mǎn)足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開(kāi)直流，通過(guò)交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。
除了以上驅(qū)動(dòng)電路之外，還有很多其它形式的驅(qū)動(dòng)電路。對(duì)于各種各樣的驅(qū)動(dòng)電路并沒(méi)有一種驅(qū)動(dòng)電路是最好的，只有結(jié)合具體應(yīng)用，選擇最合適的驅(qū)動(dòng)。
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求
（1）開(kāi)關(guān)管開(kāi)通瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻振蕩。
（2）開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。
（3）關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。
（4）驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、損耗小。
（5）根據(jù)情況施加隔離。
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