二極管具有單向?qū)щ娦裕饕糜谡鳌⒎€(wěn)壓和混頻等電路中。本文介紹整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則。
(一)整流二極管的主要參數(shù)
1.IF—最大平均整流電流。
指二極管長期工作時(shí)允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時(shí)應(yīng)注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。
2.VR—最大反向工作電壓。
指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模瑥亩鸱聪驌舸ＭǔＨ》聪驌舸╇妷?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4007的VR為1OOOV。
3.IR—反向電流。
指二極管未擊穿時(shí)反向電流值。溫度對(duì)IR的影響很大。例如1N4000系列二極管在100°C條件IR應(yīng)小于500uA;在25°C時(shí)IR應(yīng)小于5uA。
4.VR—擊穿電壓。
指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r(shí)，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。
5.tre—反向恢復(fù)時(shí)間。
指在規(guī)定的負(fù)載、正向電流及最大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時(shí)間。
6.fm—最高工作頻率。
主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。
7.CO—零偏壓電容。
指二極管兩端電壓為零時(shí)，擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號(hào)的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊(cè)中給出的參數(shù)往往是一個(gè)范圍，若測(cè)試條件改變，則相應(yīng)的參數(shù)也會(huì)發(fā)生變化，例如在25°C時(shí)測(cè)得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于1OuA，而在100°C時(shí)IR則變?yōu)樾∮?00uA。
(二)穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)
1.Vz—穩(wěn)定電壓。
指穩(wěn)壓管通過額定電流時(shí)兩端產(chǎn)生的穩(wěn)定電壓值。該值隨工作電流和溫度的不同而略有改變。由于制造工藝的差別，同一型號(hào)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值也不完全一致。例如，2CW51型穩(wěn)壓管的Vzmin為3.0V, Vzmax則為3.6V。
2.Iz—穩(wěn)定電流。
指穩(wěn)壓管產(chǎn)生穩(wěn)定電壓時(shí)通過該管的電流值。低于此值時(shí)，穩(wěn)壓管雖并非不能穩(wěn)壓，但穩(wěn)壓效果會(huì)變差;高于此值時(shí)，只要不超過額定功率損耗，也是允許的，而且穩(wěn)壓性能會(huì)好一些，但要多消耗電能。
3.Rz—動(dòng)態(tài)電阻。
指穩(wěn)壓管兩端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動(dòng)態(tài)電阻則愈小。例如，2CW7C穩(wěn)壓管的工作電流為5mA時(shí)，Rz為18Ω;工作電流為1OmA時(shí)，Rz為8Ω;為20mA時(shí)，Rz為2Ω;>20mA則基本維持此數(shù)值。
4.Pz—額定功耗。
由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為穩(wěn)定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩(wěn)壓管的Vz為3V，Izm為20mA，則該管的Pz為60mWo 5.Ctv—電壓溫度系數(shù)。是說明穩(wěn)定電壓值受溫度影響的參數(shù)。例如2CW58穩(wěn)壓管的Ctv是+0.07%/°C，即溫度每升高1°C，其穩(wěn)壓值將升高0.07%。 6.IR— 反向漏電流。 指穩(wěn)壓二極管在規(guī)定的反向電壓下產(chǎn)生的漏電流。例如2CW58穩(wěn)壓管的VR=1V時(shí)，IR=O.1uA;在VR=6V時(shí)，IR=10uA。
(三)選擇二極管的基本原則
1.要求導(dǎo)通電壓低時(shí)選鍺管;要求反向電流小時(shí)選硅管。
2.要求導(dǎo)通電流大時(shí)選面結(jié)合型;要求工作頻率高時(shí)選點(diǎn)接觸型。
3.要求反向擊穿電壓高時(shí)選硅管。
4.要求耐高溫時(shí)選硅管。
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